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PVD基本方法:真空蒸發(fā)、濺射?、離子鍍(空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍),以下介紹幾種常用的方法.

電子束蒸發(fā)
電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來(lái)加熱蒸發(fā)源,使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜.
特征:真空環(huán)境;蒸發(fā)源材料需加熱熔化;基底材料也在較高溫度中;用磁場(chǎng)控制蒸發(fā)的氣體,從而控制生成鍍膜的厚度.

濺射沉積
濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù).濺射的方法很多,有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等,而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射.

特征:在真空室內(nèi)充入放電所需要的惰性氣體(如氬氣),在高壓電場(chǎng)作用下氣體分子因電離而產(chǎn)生大量正離子.帶電離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速,便形成高能量的離子流轟擊蒸發(fā)源材料(稱(chēng)為靶).在離子轟擊下,蒸發(fā)源材料的原子將離開(kāi)固體表面,以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜.

RF(射頻)濺射
RF濺射使用的頻率約為13.56MHz,它不需要熱陰極,能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射.RF濺射不僅可以沉積金屬膜,而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜,因而使用范圍較廣.
電弧離子鍍?

陰極弧技術(shù)是在真空條件下,通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài),從而完成薄膜材料的沉積,該技術(shù)材料的離化率更高,薄膜性能更加優(yōu)異.

過(guò)濾陰極弧
過(guò)濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過(guò)濾系統(tǒng),可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀大顆粒過(guò)濾掉, 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蝕性能好,與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng).

離子束
離子束加工是在真空條件下,先由電子槍產(chǎn)生電子束,再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中,使低壓惰性氣體離子化.由負(fù)極引出陽(yáng)離子又經(jīng)加速、集束等步驟,獲得具有一定速度的離子投射到材料表面,產(chǎn)生濺射效應(yīng)和注入效應(yīng).由于離子帶正電荷,其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬(wàn)倍,所以離子束比電子束具有更大的撞擊動(dòng)能,是靠微觀的機(jī)械撞擊能量來(lái)加工的.